شبیه سازی اثرات نوع آرایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود
نویسندگان
چکیده
0
منابع مشابه
شبیه‌سازی اثرات نوع آلایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود
The aim of this article is apply modification to limited diffusion aggregation model. The method can simulate the doping type and current density on obtained structures forms within porous silicon growth. For doping type effect, the sticking coefficient parameter and for the current density effect, mean field parameter applied to limited diffusion aggregation. Simulation results showed that t...
متن کاملشبیه سازی اثرات نوع آلایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود
هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را درشکل ساختارهای به دست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه سازی کند. برای تأثیر نوع آلایش, ضریب چسبندگی و برای تأثیر چگالی جریان, پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش محدود اعمال کردیم. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که پارامتر ضریب چسبندگی در کنترل ضخامت خلل مؤثر است در حالی که پارامتر ...
متن کاملشبیه سازی احتراق مدفون در محیط متخلخل به روش FGM
در این پژوهش روشی به نام تولید فلیملت از منیفولد (FGM) معرفی شده است که ترکیبی از دو روش کاهش سینتیک، یعنی روش فلیملت و روش منیفولد است. در این روش شعله چند بعدی بصورت مجموعه ای از شعله های یک بعدی در نظر گرفته شده است (روش فلیملت) و ساختار شعله توسط تعداد محدودی متغیر کنترلی تعیین می‌گردد (روش منیفولد). متغیرهای ترموشیمیایی در یک بانک داده ذخیره شده و در شبیه سازی شعله استفاده می‌شوند. در طو...
متن کاملشبیه سازی سطح سیلیکان متخلخل به روش dla
سیلیکان si از جمله نیمه رساناهایی است که کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارد اما همین عنصر به علت داشتن گاف غیرمستقیم ، دارای خواص ضعیف اپتیکی بوده و جایگاهی در کاربردهای اپتیکی ندارد.یکی از راههایی که می توان بدان طریق در سیلیکان خواص اپتیکی بوجود آورد، کوچک کردن ساختار si است، به حدی که اثرات کوانتومی در ساختار نواری آن بکار آید. به این ساختار ، سیلیکان متخلخل ps گفته می شود . لای...
15 صفحه اولارائه یک روش گالرکین ناپیوسته برای جریان های دوفازی در محیط متخلخل به وسیله محدود کننده شیب mlp اصلاح شده
در این تحقیق حل عددی جریان های دوفازی تراکم ناپذیر در محیط های متخلخل با استفاده از روش های مرتبه بالای پنالتی داخلی گالرکین ناپیوسته مورد توجه قرار گرفته است. در فرمولاسیون به کار رفته فشار و درجه اشباع فاز ترکننده (pw,sw) یه عنوان مجهولات اصلی، به همراه شرط مرزی ترکیبی (رابین) در نظر گرفته شده است. هدف از این مدل تعیین دقیق تر محل گرادیان های شدید ناشی از محل تماس دو فاز در محیط متخلخل ناهمگن...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
عنوان ژورنال:
علوم و مهندسی سطح ایرانجلد ۵، شماره ۸، صفحات ۵۹-۶۷
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023